東微 SGT MOS
相比較于傳統Trench型工藝,SGT工藝制造所需的晶圓更小.內阻更低。再給客戶節省成本的同時，還大幅的降低整體導通的損耗即而實現更小的發熱。
SFG130N10KF
VDS:100V ID:130A
RDS(on)@VGS=10V:5MΩ 封裝：TO-263
SFG170N10KF
VDS:100V ID:170A
RDS(on)@VGS=10V:3MΩ 封裝：TO-263
SFG180N10KF
VDS:100V ID:180A
RDS(on)@VGS=10V:2.5MΩ 封裝：TO-263
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